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Réf . : JM3200HSH4G / Ref TRANSCEND : JM3200HSH-4G / Ean : 0760557850571
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 3200 MHz / PC4-25600 - mémoire sans tampon
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC
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Description du produit

Les modules mémoires Transcend JetRam sont conformes ETT et incorporent des puces DRAM de qualité supérieure qui passent de nombreux tests de qualification technique et environnementale. Ces modules offrent une excellente compatibilité et sont intégralement testés afin de garantir une fiabilité irréprochable. Ces modules destinés au PC profitent de prix de vente concurrentiels. Chaque module est cadencé à 3200 Mbps afin d’améliorer l’efficacité de la transmission de données. La bande passante monte jusqu’à 25.6GB/s. Grâce à une tension nominale de 1.2V, les modules Transcend DDR4 SO-DIMM JetRam bénéficient d’une plage basse de température de fonctionnement et limitent la charge électrique sur le contrôleur mémoire. Ces avantages permettent d’économiser jusqu’à 40% d’énergie par rapport à un module standard DDR3 à 1.5V.

Caractéristiques du produit

  • Transcend JetRam JM3200HSH-4G.
  • composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 3200 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 22

Description du produit

Les modules mémoires Transcend JetRam incorporent des puces DRAM de haute qualité. Ces modules offrent une excellente compatibilité et garantissent une fiabilité irréprochable. Ces modules destinés au PC profitent de prix de vente concurrentiels. Les modules sont cadencés à 3200 Mbps afin d'améliorer l'efficacité de la transmission de données. La bande passante monte jusqu'à 25,6 GB/s. Grâce à une tension nominale de 1,2 V, les modules Transcend DDR4 SO-DIMM JetRam bénéficient d'une plage basse de température de fonctionnement et limitent la charge électrique sur le contrôleur mémoire. Ces avantages permettent d'économiser jusqu'à 40 % d'énergie par rapport à un module standard DDR3 à 1,5 V.

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